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韓國次世代非揮性記憶體發展現況及策略物超所值

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　　次世代非揮發性記憶體具備比現有Flash的非揮發性、SRAM的高速運算、DRAM的高集積性等性能更強，且耗電更低的產品特性，因此，被視為取代現有各種記憶體的理想技術。

　　2004年8月啟動次世代非揮發性記憶體元件開發事業，計畫以8年的時間，由政府投入350億圜的研究經費，目標是開發出0.1Tera Bit級以上的、NFGM、PoRAM、ReRAM等次世代非揮發性記憶體元件技術，以確保其在元件、製程、設計方面的技術，進一步佔有40%以上的全球記憶體市場。

　　此外，韓國半導體業者在次世代記憶體方面亦投注相當大的心力，三星電子目前已開發出64Mb FeRAM及512Mb PRAM試製品，並計畫於2007年與2008年分別完成1Gb PRAM、2Gb PRAM的開發。Hynix則已開發出32Mb FeRAM，並計劃在2007年完成RFID用FReAM的開發。有鑑於此，本書乃針對韓國政府及企業在次世代記憶體的推動現況進行探討，希望藉此掌握其政策方向及技術發展趨勢，以供我國政府及業者之參考。
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